Interes k issledovaniyu i razrabotke tonkoplenochnykh tekhnologiy ne oslabevaet vsledstvie perspektiv ikh prakticheskogo primeneniya v elektronnoy i optoelektronnoy promyshlennosti. Pri etom vozmozhnost" prodolzhitel"noy ekspluatatsii priborov mikroelektroniki i optoelektroniki v znachitel"noy mere zavisit ot stabil"nosti obrazuyushchikh ikh tonkoplenochnykh struktur. V predstavlennoy rabote avtorom predprinyata popytka izucheniya mekhanizma vzaimodeystviya plenochnogo pokrytiya s uprugim osnovaniem. Razlichie mezhdu parametrami kristallicheskikh reshetok materialov plenki i podlozhki obuslavlivaet vozniknovenie v plenke napryazheniy nesootvetstviya. Predpolagaetsya, chto, sozdavaemoe pole napryazheniy aktiviruet massoperenos vdol" poverkhnosti pokrytiya, a pri vysokikh temperaturakh – i vglub" materiala plenki. Takim obrazom, v kachestve modeli volnoobrazovaniya poverkhnosti napryazhennogo tela rassmatrivaetsya model" poteri ustoychivosti ploskoy formy poverkhnosti v rezul"tate diffuzionnykh protsessov, lokalizovannykh v pripoverkhnostnom sloe. Pri etom uchityvayutsya razlichnye formy evolyutsii rel"efa. Pri pomoshchi metoda vozmushcheniy analiziruetsya kontsentratsiya napryazheniy, vyzvannaya iskrivleniem poverkhnosti plenki.