Интерес к исследованию и разработке тонкопленочных технологий не ослабевает вследствие перспектив их практического применения в электронной и оптоэлектронной промышленности. При этом возможность продолжительной эксплуатации приборов микроэлектроники и оптоэлектроники в значительной мере зависит от стабильности образующих их тонкопленочных структур. В представленной работе автором предпринята попытка изучения механизма взаимодействия пленочного покрытия с упругим основанием. Различие между параметрами кристаллических решеток материалов пленки и подложки обуславливает возникновение в пленке напряжений несоответствия. Предполагается, что, создаваемое поле напряжений активирует массоперенос вдоль поверхности покрытия, а при высоких температурах – и вглубь материала пленки. Таким образом, в качестве модели волнообразования поверхности напряженного тела рассматривается модель потери устойчивости плоской формы поверхности в результате диффузионных процессов, локализованных в приповерхностном...