В монографии, на основе проведенных с помощью современных методов исследований определенна реальная дефектная структура приповерхностных слоев кремния в системе Si-SiO2. В результате появления механических напряжений и деформаций в приповерхностной области кремния образовывается сложная структура, которая состоит из области сильно разупорядоченного кремния и области, которая содержит дислокационные сетки. На основе модели приповерхностных слоев окисленного кремния построенная модель токопереноса в инверсионном канале полевых МОП - приборов. Данная модель учитывает факт рассеяния носителей заряда на дислокационных барьерах, которые присутствуют в канале. Глубокие уровни приповерхностного слоя кремния, образованные границами блоков разупорядоченного кремния, влияют на баланс между радиационной чувствительностью и термополевой стабильностью параметров дозиметров поглощающей дозы ионизирующих излучений на основе полевых МОП – транзисторов.