В работе изложены результаты теоретического исследования влияния сильных внешних полей на электрические и оптические свойства одномерных полупроводниковых сверхрешеток и некоторых структур на основе графена – нового перспективного материала. Для полупроводниковых сверхрешеток исследовано влияние штарковского квантования на поперечную магнитопроводимость и влияние постоянного электрического поля на радиоэлектрический эффект. Показана возможность смены знака тока увлечения. Кроме того, изучен так называемый эффект взаимного выпрямления – появление в сверхрешетке постоянного тока, вызванного синусоидальной и кноидальной электромагнитными волнами. В сверхрешетке на основе графена предсказана возможность смены знака эффекта взаимного выпрямления. Для щелевой модификации графена теоретически исследован эффект Шубникова-де Гааза – осцилляции проводимости в квантующем магнитном поле. Книга рассчитана на исследователей, работающих в области физики конденсированного состояния и низкоразмерных...